接近開關(guān)（傳感器）LE40SZSF15ATO-E2，LE40SZSN20ATO-E2，蘭寶接近開關(guān)，是利用電磁工作原理，用的工藝制成的，是一種位置傳感器。它能通過傳感器與物體之間的位置關(guān)系變化，將非電量或電磁量轉(zhuǎn)化為所希望的電信號，從而達(dá)到控制或測量的目的。
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1．電容式接近開關(guān)
1.1
原理：
電容式接近開關(guān)的敏感元件由導(dǎo)電極板系統(tǒng)組成，可被視為一個或一組電容，附近出現(xiàn)
或經(jīng)過的導(dǎo)電體和介電體改變極板系統(tǒng)中的靜電場分布，從而改變敏感元件的電容。信號處理電路檢測出這種變化，就可以檢測出目標(biāo)物體的接近。相比之下，電容式傳感器的結(jié)構(gòu)較為簡單、工作阻抗高，因而功耗較低，此外通過鎖頻或頻譜擴(kuò)展載波調(diào)制技術(shù)，可以使之不受寄生或有意的干擾影響。其他方案則很難達(dá)到設(shè)計者的要求。例如
機(jī)械開關(guān)的穩(wěn)定性和可靠性較差磁敏感方式功耗過大，也容易受外磁場的影響；光學(xué)式和超聲式傳感器的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，容易受外界干擾。
2．電感式接近開關(guān)
2.1
原理：
電感式接近開關(guān)（GDKG）屬于一種有開關(guān)量輸出的位置傳感器，它由
LC 高頻振蕩器、信號觸發(fā)器和開關(guān)放大器組成。振蕩電路的線圈產(chǎn)生高頻交流磁場，
該磁場經(jīng)由傳感器的感應(yīng)面釋放出來。當(dāng)有金屬物體接近這個能產(chǎn)生電磁場的振蕩感應(yīng)頭時，就會使該金屬物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流，這個渦流反作用于接近開關(guān)，使接近開關(guān)振蕩能力衰減，內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化，當(dāng)信號觸發(fā)器探測到這一衰減現(xiàn)象時，便把它轉(zhuǎn)換成開關(guān)電信號。由此識別出有無金屬物體接近開關(guān)，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。
這種接近開關(guān)所能檢測的物體必須是金屬物體。
霍爾式接近開關(guān)
3.1 原理
當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達(dá)式為： U=K·I·B/d，其中 K 為霍爾系數(shù)，I 為薄片中通過的電流，B 為外加磁場（洛倫慈力 Lorrentz）的磁感應(yīng)強(qiáng)度，d 是薄片的厚度。由此可見，霍爾效應(yīng)的靈敏度高低與外加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比?；魻柦咏_關(guān)就屬于這種有源磁/電轉(zhuǎn)換器件，它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上，利用的集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便地把磁輸入信號轉(zhuǎn)換成實(shí)際應(yīng)用中的電信號，同時又具備工業(yè)場合實(shí)際應(yīng)用易操作和可靠性的要求。 霍爾接近開關(guān)的輸入端是以磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 來表征的，當(dāng) B 值達(dá)到一定的程度（如 B1）時，開關(guān)內(nèi)部的觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)，霍爾接近開關(guān)的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出，和電感式接近開關(guān)類似的有：NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出幾種類型。
供應(yīng)接近開關(guān)LE40SF15ATO,LE40SF15ATC,LE40SN20ATO,LE40SN20ATC,LE68SF15ATO,LE68SF15ATC
LE68SN25ATO,LE68SN25ATC,LE68SF15ATO-E2,LE68SF15ATC-E2,LF68SN25ATO-E2,LE68SN25ATC-E2,
LE40SZSF15DNO-E2,LE40SZSF15DNC-E2,LE40SZSF15DNR-E2,LE40SZSF15DPO-E2,LE40SZSF15DPC-E2,
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